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三星完成8nm射频技术开发:面积减少35%功率增加35%

  世界先进半导体技术的领导者三星电子有限公司今天宣布完成了基于8纳米生产工艺的射频(RF)技术的开发。这项尖端的代工技术有望提供"一个芯片解决方案",尤其是通过支持多通道和多天线芯片设计增强5G网络通信。这项8纳米射频平台的推出将会进一步巩固三星在5G半导体市场的领导地位。三星的8纳米射频工艺技术是对已广泛应用的射频相关解决方案组合(包括28纳米和14纳米的射频)的最新补充。自2017年以来,该公司通过为高端智能手机出货超过5亿颗移动射频芯片,确立了其在射频市场的领先地位。

  三星电子合同技术开发团队负责人HyungJinLee说:"通过卓越的创新和工艺制造,我们加强了下一代无线通信产品。随着5 GmmWave的扩展,三星的8nm射频将成为在紧凑的移动设备上寻找长电池寿命和优良信号质量的客户的极好解决方案。
  随着向高级节点的不断扩展,数字电路的性能、功耗和面积(PPA)都有了明显的提高,但由于诸如窄线宽等退化元件引起的电阻增加,模拟/射频块没有得到这样的改善。因此,大多数通信芯片经常会看到射频特性的退化,例如接收频率放大性能的恶化和功耗的增加。
  为了克服模拟/射频扩展带来的挑战,三星开发了一种专用于8纳米射频的独特架构,称为RFeFET(RFeFET),它可以显著改善射频特性,同时降低功耗。与14 nm射频相比,三星的RFeFET补充了数字PPA的扩展,恢复了模拟/射频的扩展,从而实现了一个高性能的5G平台。
  三星的工艺优化使信道流动性最大化,寄生效应最小化。由于RFeFET性能的大幅提高,射频芯片中的晶体管总数和模拟/射频块的面积都可以减少。
  与14 nm射频技术相比,由于RFeFET结构的创新,当射频芯片面积减少35%时,三星的8 nm射频技术可使功率效率提高35%。