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三星宣布成功完成8纳米射频解决方案开发

  三星官方网站今天表示,该公司已经推出了基于8nm技术的最新射频技术。

  三星表示,这项先进技术有望为5G通信提供一种"单芯片解决方案",专用于支持多通道和多天线芯片。三星的8纳米射频平台将把该公司在5G半导体市场的领导地位从Sub-6 GHz扩展到毫米波应用。
  三星的8 nm射频技术是射频相关解决方案的最新补充,包括目前广泛使用的28 nm和14 nm。自2017年以来,三星已为高端智能手机出货量超过5亿芯片。
  通过卓越的创新和工艺制造,我们加强了下一代的无线通信产品。"三星电子合同技术开发团队负责人HyungJinLee说。"随着5G毫米波的扩展,三星8nm射频将是一个很好的解决方案,因为用户希望在紧凑的移动终端上寻找更长的电池寿命和优良的信号质量。
  随着先进节点的不断扩展,数字电路在性能、功耗和面积(PPA)方面得到了显著改善,而模拟/射频模块由于寄生效应的退化(如窄线宽引起的电阻增加)而没有得到改善。因此,大多数通信芯片倾向于降低射频特性,例如接收频率放大性能的恶化和功耗的增加。
  为了克服模拟/射频扩展带来的挑战,三星公司开发了一种独特的8纳米射频专用架构--RFeFET(RFeFET),它可以显著改善射频特性,同时降低功耗。与14 nm射频相比,三星的RFeFET补充了数字PPA扩展,恢复了模拟/射频扩展,从而实现了高性能的5G平台。
  三星在一份新闻稿中写道,三星的工艺优化使信道移动性最大化,同时减小了寄生效应。由于RFeFET性能的大幅提高,射频芯片中的晶体管总数和模拟/射频块的面积都可以减少。与14 nm射频相比,三星的8 nm射频技术提高了35%的功率效率,并由于RFeFET架构的创新,使RF芯片面积减少了35%。